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功率芯片燒結(jié)銀封裝

南京芯興提供功率器件的封裝技術(shù)方案:SiC MOSFET或SiC SBD采用有壓燒結(jié)銀焊接,導(dǎo)熱率達(dá)到260W/mK以上,無孔洞,顯著降低器件節(jié)溫,提高了器件導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和長期使用可靠性。

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產(chǎn)品詳情

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產(chǎn)品特點:

  • 高導(dǎo)熱,導(dǎo)熱率達(dá)到260W/m·k

  • 低溫?zé)Y(jié),高溫服役,使用溫度可達(dá)500℃以上

  • 連接強度高,剪切力>100MPa

  • 抗疲勞性能好,可靠性高


 



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