碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗，提升系統(tǒng)效率，更適合應(yīng)用于高頻電路。在新能源汽車電機(jī)控制器、車載電源、太陽能逆變器、充電樁、UPS、PFC 電源等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。而燒結(jié)銀由于其超高的導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能，低溫?zé)o壓燒結(jié)、高溫服役，連接強(qiáng)度高、抗疲勞性能好，成分不含膠、無有機(jī)殘留物等高性價比特性在封裝SiC MOSFET中的應(yīng)用保證SiC芯片可靠性、充分發(fā)揮性能的關(guān)鍵。燒結(jié)  曲線如下：

燒結(jié)前X-ray檢查

  燒結(jié)后孔洞率≤1%

  剪切強(qiáng)度